Mouser signe un accord mondial de distribution exclusive avec GaN Systems
Mouser Electronics, Inc. annonce la signature d’un accord mondial exclusif avec GaN Systems, relatif à la distribution de sa gamme de transistors de puissance au nitrure de gallium. L’objectif de GaN Systems est de faciliter l’adoption de la technologie au nitrure de gallium par les ingénieurs concepteurs et les ingénieurs système. Désormais disponible auprès de Mouser Electronics, la gamme de produits GaN Systems constitue une offre complète de transistors de puissance hautement performants au nitrure de gallium. Cette technologie bénéficie d’un matériau à semi-conducteurs caractérisé par sa large bande, avec des caractéristiques physiques supérieures à celles des dispositifs au silicium pour nombre d’applications, dont les systèmes de conversion d’énergie. Dotés d’une résistance à l’état passant exceptionnellement basse et d’une accumulation de charges négligeable, ces transistors apportent une efficacité de commutation bien supérieure aux solutions utilisant des composants au silicium et des avantages considérables pour les applications de commutation, en particulier les systèmes d’alimentation, les inverseurs, les onduleurs pour véhicules électriques et hybrides, la gestion des batteries et la correction de facteur de puissance.
Au cœur du savoir-faire de GaN Systems, la technologie Island Technology permet des implantations de cellules assurant des performances de matrice à courant élevé, avec pour résultat un rendement maximal des plaques de semi-conducteurs. L’approche permet de réduire les dimensions du transistor, contribuant aux performances tout en réduisant les coûts. Les boîtiers GaNPX™ n’utilisent aucun fil de connexion, d’où une inductance parasite réduite, une faible résistance thermique et une fiabilité accrue, et ce, dans un boîtier de transistor suffisamment miniaturisé pour que les dimensions du composant dépassent à peine la taille de la matrice.
Les premiers produits distribués par Mouser Electronics seront le transistor G561008 à enrichissement, composant doté d’une tension de fonctionnement de 100 V et d’une température de fonctionnement de 150 °C, avec une intensité de 80 A en courant continu et une résistance à l’état passant (RDS(ON)) atteignant à peine 5,6 mΩ. Le transistor GaN G566508 à enrichissement offre une tension de fonctionnement de 650 V et une température de fonctionnement de 150 °C. Il assure une intensité de 34 A en courant continu et bénéficie d’une résistance à l’état passant de 41 mΩ.
La gamme de transistors GaN Systems concerne les applications de conversion d’alimentation pour l’électroménager, les armoires de serveurs de centres de données, les applications solaires, les éoliennes et les réseaux intelligents, les véhicules électriques et hybrides, ainsi que les applications d’alimentation à rendement élevé.
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :