MOSFET rapides CMS à haut rendement, jusqu’à 250 V
Proposés en boîtier CMS plat, TSON ou SOP, dont les empreintes sur carte sont respectivement de seulement 3 x 3 mm et 5 x 6 mm, ces MOSFET offrent des tensions nominales de 60 V, 80 V, 100 V, 150 V, 200 V ou 250 V avec des valeurs de résistance à l’état passant RDS(ON) parmi les meilleures dans leurs catégories. Par exemple, les TPH4R50ANH 100 V et TPH2900ENH 200 V affichant respectivement des RDS(ON) maximum de 4.5 mohms et 29 mohms à VGS de 10 V associent les valeurs de RDS(ON) les plus basses à une charge de grille Qg et à une capacité d’entrée Ciss très basses.
Ces transistors s’appuient sur le processus propriétaire de production de semiconducteurs de huitième génération UMOS. Ce processus offre des améliorations significatives au niveau des caractéristiques RDS(ON) et Ciss qui permettent d’optimiser le rendement et les vitesses de commutation, tout en réduisant le bruit rayonné à un niveau minimum.
Les applications cible de cette gamme de MOSFET CMS sont notamment la conversion AC/DC et DC/DC dans les systèmes industriels, les appareils ménagers numériques, l’équipement informatique et les consoles de jeu. Les dispositifs de 80 V à 150 V seront particulièrement bien adaptés aux alimentations de nombreux systèmes de télécommunications.
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