MOSFET optimisés pour les applications automobiles DC-DC
Le boîtier de puissance DirectFET2 offre une faible résistance et une inductance parasite dix fois moins élevée qu’un boîtier D2Pak, ce qui se traduit par d’excellentes performances en découpage à fréquence élevée et en signaux de sortie à variations réduites permettant de limiter les émissions électromagnétiques et la taille du filtre. Il bénéficie également du refroidissement sur deux côtés et d’une faible résistance à l’état passant.
Présentant une faible charge de grille (Qg), le MOSFET à niveau logique AUIRL7732S2 occupe 38 % d’espace en moins sur le circuit imprimé qu’un boîtier SO-8 et convient donc parfaitement comme MOSFET de commande dans un convertisseur abaisseur synchrone. Le MOSFET AUIRL7736M2 convient, lui, à la commutation synchrone avec son faible Rds(on) et un encombrement sur la carte équivalent à celui d’un boîtier SO-8 ou d’un PQFN de 5×6 mm. La faible inductance des AUIRL7732S2 et AUIRL7736M2 leur apporte de meilleures performances en commutation à des fréquences supérieures que les MOSFET traditionnels.
La famille DirectFET 2 automobile tire parti de plusieurs années de recherche et développement visant à établir une plateforme de produits spécifiquement conçus pour les applications automobiles et basés sur les composants DirectFET grand public éprouvés et fiables. Ces composants sont conformes aux standards AEC-Q101, utilisent des matériaux écologiques, sans plomb et conformes RoHS et s’inscrivent dans l’initiative de qualité automobile d’IR visant le zéro défaut.
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