MOSFET de puissance pour des applications hautes températures
Les MOSFETs haute performance de puissance de la série E de Vishay, modèle SIHD180N60ET4-GE3, disponibles chez Rutronik, se caractérisent par leur faible résistance à l’état passant drain-source (RDS(on)) de 0,17 Ω, ainsi qu’une faible capacité d’entrée (CISS) de 1 080 pF et des pertes de commutation et de puissance réduites.
Les composants sont robustes et adaptés aux applications à haute température de fonctionnement dans les secteurs industriel, de l’alimentation électrique, des énergies renouvelables, de l’éclairage et des télécommunications, entre autres.
Les composants intègrent la technologie de la 4ème génération des MOSFETs de puissance de la série E de Vishay. Ils se distinguent également par une faible capacité de sortie effective de 39 pF et un faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qg.
Les composants sont particulièrement adaptés aux applications à haute température, telles que les alimentations à découpage, les chargeurs de batterie, les onduleurs photovoltaïques ou les lampes fluorescentes avec ballasts.
Ils sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.
Caractéristiques :
- Technologie de la 4ème génération de la série E de Vishay
- Faible FOM
- RDS(on) de 0,17 Ω
- Faible capacité de sortie effective de 39 pF
- Pertes de commutation et de puissance réduites
- Évaluation de l’énergie d’avalanche
Exemples d’applications :
- Alimentation électrique pour serveurs et télécommunications
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Alimentations à correction du facteur de puissance (PFC)
- Éclairage
- Éclairage à décharge à haute intensité (HID)
- Éclairage fluorescent avec ballast
- Industrie
- Soudage
- Chauffage par induction
- Entraînements de moteurs
- Chargeurs de batterie
- Solaire (onduleurs photovoltaïques)
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