
MOSFET de puissance canal-N 100 V, basse consommation
Du fait de la popularité et de l’évolution des chargeurs rapides, des MOSFET de puissance plus performants sont nécessaires pour servir au secondaire des redresseurs. Ces deux transistors MOSFET font appel au procédé propriétaire basse tension à structure en tranchée « trench » pour produire la plus faible résistance à l’état passant par rapport aux produits de même valeur nominale du marché actuel, et une commutation ultra-rapide.
Cette structure de semi-conducteurs évoluée améliore le facteur de mérite principal RDS(ON) x Qsw (charge électrique de commutation de grille), optimisant ainsi les performances des applications de commutation. Les pertes de sortie sont améliorées grâce à la réduction de la charge électrique en sortie, ce qui augmente le rendement du système.
Le TPH6R30ANL accepte une valeur de courant de drain (ID) jusqu’à 45 A et une résistance Drain-Source à l’état passant (RDS(ON)) pouvant descendre à 6.3 mOhms, tandis que le TPH4R10ANL est donné pour 70 A et 4.1 mOhms.
La possibilité de commande à partir d’un niveau logique 4.5 V autorise un pilotage direct par le CI contrôleur sans buffer, ce qui contribue encore à réduire la consommation. En outre, ces dispositifs sont compatibles avec les alimentations haute tension dont ont besoin les applications utilisant l’USB 3.0.
Le boîtier standard SOP-Advance de 5 x 6 mm réduit la place occupée sur la carte.
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