MOSFET de puissance, 300 V, à très faible Rds(on)
Ces transistors de puissance se distinguent par un Rds(on) à 10 V de 69 mOhms pour les deux premières références et de 32 mOhms pour la dernière qui améliore le rendement du système et peut permettre aux concepteurs de réduire le nombre de composants utilisés lorsque plusieurs MOSFET sont mis en parallèle. Ils sont destinés à une large gamme d’applications industrielles à fort rendement, telles que la mise en forme de lignes AC 110-120 V, les alimentations AC 110-120 V et les redresseurs DC-AC des inverseurs solaires et des alimentations de puissance sans interruption (UPS).
Ces composants sont qualifiés pour les normes industrielles, incluant l’immunité à l’humidité MSL1. Ils sont encapsulés en boîtiers TO-220 et TO-247, sans plomb et conformes RoHS.
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