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MOSFET canal-N à faible résistance à l’état passant et consommation réduite

MOSFET canal-N à faible résistance à l’état passant et consommation réduite

Nouveaux produits |
Par Alain Dieul



L’utilisation du procédé propriétaire « trench » (tranchée) U-MOS série IX-H garantit à ces MOSFET de très faibles résistances à l’état passant. En effet, les valeurs R DS(ON) nominales sont de 6.5 mOhm pour le modèle 30 V, et de 8.9 mOhm pour le 40 V. Cela leur assure une dissipation thermique à l’état passant réduite d’environ 40% par rapport aux précédents modèles de la gamme.

Ces transistors sont bien adaptés aux applications de commutation de puissance de plus de 10 W, notamment les petits appareils portables à la norme USB Type-C de l’USB Implementers Forum ou USB Power Delivery (PD).

Les deux composants se présentent en boîtier compact SOT-1220.

www.toshiba.semicon-storage.com

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