MOSFET 40 V 160 A à résistance ultra faible pour applications automobiles
Alors que le D2PAK+ présente la même empreinte qu’un boîtier D2PAK (ou TO-263) classique, il offre une résistance de boîtier sensiblement plus faible grâce à sa broche source qui est beaucoup plus large à proximité de la surface moulée que celle du boîtier classique.
Ce MOSFET de 40 V et 160 A présente une résistance à l’état passant de 1.5 mohm à la tension de porte VGS de 10 V. Les valeurs nominales mini et maxi des tensions de seuil Vth sont respectivement de 2 V et 3 V.
Le tout dernier procédé propriétaire de fabrication de wafers UMOS IX-H est utilisé pour produire ce transistor. Il présente une très bonne capacité d’élimination des ondulations de commutation et contribue à la réduction du bruit EMI (parasite électromagnétique) dans les applications.
Ce dispositif cible des applications telles que les pompes, les ventilateurs, les convertisseurs DC-DC et les commutateurs de charge pour l’automobile. Il répond d’ailleurs aux exigences de qualification de niveau automobile AEC-Q101.
toshiba.semicon-storage.com/TK1R5R04PB
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