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MOFSET SiC de 1200 V à résistance ultra-faible

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Par Alain Dieul

Les MOSFET SiC LSIC1MO120E0120 et LSIC1MO120E0160 se caractérisent par des niveaux respectifs de résistance à l’état passant (RDS(ON)) ultra-faibles de seulement 120 milliohms et 160 milliohms. Ces MOSFET SiC sont conçus pour être utilisés en tant que commutateurs semi-conducteurs de puissance dans une vaste gamme de systèmes de conversion de puissance. Ils dépassent largement les performances des MOSFET standard en silicium en termes de tension de blocage, de résistance spécifique à l’état passant et de capacitance de jonction. Ils associent également des tensions de fonctionnement élevées et une commutation ultra-rapide que les transistors de puissance traditionnels tels que les IGBT en silicium (à courant nominal et boîtier équivalents) ne sont pas en mesure d’égaler.

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