Mémoire FRAM 4 Mbits parallèle compatible SRAM
Ce circuit possède une configuration de bits de 262 144 mots x 16 bits ainsi qu’une gamme flexible de tension de fonctionnement comprise entre 1.8 V et 3.6 V. Il est garantit 10 trillions de cycles de lecture/écriture et assure une rétention des données de 10 ans à 85 °C. Sa gamme de température s’étend de -40 °C à +85 °C en fonctionnement industriel.
La FRAM, ou mémoire vive ferroélectrique, est un type de mémoire non volatile à accès aléatoire. Sa non-volatilité permet aux données d’être conservées même en l’absence d’alimentation, tandis que son accès aléatoire autorise une écriture plus rapide et sans le retard généralement inévitable des mémoires non volatiles conventionnelles telles que les EEPROM et Flash. De plus, elle est extrêmement durable et peut supporter plus de 10 trillions de cycles de lecture/écriture. Grâce à sa capacité de stockage fiable des toutes dernières modifications apportées aux données en cas de coupure de courant ou de panne de l’alimentation principale, la FRAM convient particulièrement pour sauvegarder les informations des paramètres et les données journalisées dans les environnements instables.
Grâce à cette non-volatilité, le déploiement de batteries devient redondant. Les utilisateurs peuvent ainsi économiser de l’espace et jusqu’à 50 % de leur budget de montage des circuits imprimés en supprimant la batterie. Elle favorise également les économies d’énergie. En effet, contrairement à la SRAM qui a besoin de courant pour conserver les données pendant que la source principale d’énergie est déconnectée, soit environ 15 μW par seconde, la mémoire vive ferroélectrique ne nécessite aucune énergie. Le déploiement de batteries implique également des dépenses liées à leurs matériaux et à leur maintenance. En les éliminant, la FRAM contribue ainsi à réduire les coûts des systèmes. Globalement, ce dispositif joue un rôle prépondérant en réduisant la taille et la consommation d’énergie de l’application cible.
emea.fujitsu.com/semiconductor
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