Mémoire FRAM 16 kbit en boîtier SON-8
Cette mémoire ferroélectrique FRAM comporte un accès en écriture rapide, une endurance élevée et une ultra-faible consommation par rapport aux mémoires non-volatiles traditionnelles. Avec un courant actif de 70 µA typique à 1 MHz et un courant de veille de 0,1 µA, elle atteint un niveau extrêmement bas de consommation qui représente une économie de courant maximum en mode actif de 98% par rapport à une EEPROM standard. Alors que la caractéristique faible puissance contribue grandement à l’augmentation de l’autonomie de la batterie pour les applications portables, la grande endurance du produit et ses caractéristiques d’accès rapide permettent une consignation des données en temps réel requise par de nombreux équipements de mesures médicales portables. Ce composant peut également être largement utilisé dans divers secteurs, tels que le dosage, les mesures industrielles et l’automatisation des usines.
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