LED blanches GaN-on-SI haute-puissance
Comme pour les autres membres de la série, la technologie GaN-on-Si (Nitrure de Gallium sur silicium) a été retenue pour créer ces LED optimisées tant au niveau puissance d’éclairage qu’au niveau rendement énergétique. En outre, le type 4A5B va encore plus loin en offrant un flux lumineux de 140 lm minimum à 350 mA et 85 °C, comparé à 130 lm minimum dans les mêmes conditions de test pour les versions existantes.
Ces produits répondent à la demande du marché en termes d’efficacité énergétique en offrant un rendement de plus de 110 lm/W à 85 °C avec un rendement optique et de driver de 90%. Ils contribuent aussi à réduire la puissance consommée pour l’éclairage.
D’une empreinte de 3.5 x 3.5 mm, ces LED sont dotées d’une lentille supérieure. Elles offrent différents niveaux de température de couleur corrélée (CCT) avec 6500 K pour la TL1L4-DW0, 5700 K pour la TL1L4-NT0, 5000 K pour les TL1L4-NW0 et 4000 K pour les TL1L4-WH0. Toutes ces LED offrent un index de rendu couleur de Ra70 minimum, et une tension directe typique de 2.8 V.
www.toshiba.semicon-storage.com
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