La fin des risques de connexion inversée aux batteries
Ce MOSFET agit comme une diode idéale, autorisant le passage du courant lorsque la batterie est correctement connectée et le bloquant lorsque la batterie est accidentellement connectée dans le mauvais sens. Son fonctionnement ne nécessite qu’un nombre minimal de composants passifs. En comparaison, les MOSFET de type canal-N exigent une pompe de charge pour fournir la tension de grille, ajoutant de la complexité, un surcoût et augmentant le nombre de composants requis. De plus, en ne faisant pas appel à la topologie de commutation d’une pompe de charge, de nombreux problèmes liés aux interférences électromagnétiques (CEM) sont évités.
Ce circuit est totalement protégé contre l’effet d’avalanche car il a été soumis à 100% au test UIS (Unclamped-Inductive Switch). Ce test permet de s’assurer que le MOSFET résiste au pire cas de variation d’énergie. Selon la norme ISO7637, ce cas critique se produirait si la source d’énergie était débranchée lors de l’alimentation d’une charge inductive.
La faible résistance RDS(on) de moins de 11 mOhms de ce composant veille à ce que la perte de puissance soit réduite, d’où un fonctionnement à plus basse température, avec pour conséquences des considérations thermiques moins contraignantes et une fiabilité nettement améliorée. La configuration en parallèle de plusieurs MOSFET favorise encore plus la réduction des pertes d’énergie, d’un facteur de n2.
La version suffixe SPSQ est proposée dans un boîtier propriétaire PowerDI 5060, celles suffixes SK3Q et SSSQ respectivement en boîtiers TO252 (DPAK) et SO-8.
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