Infineon livre les premiers SiC fabriqués sur wafers de 200 mm
Infineon Technologies a livré ses premiers composants de puissance en carbure de silicium (SiC) fabriqués sur des plaquettes de 200 mm.
Presque tous les composants SiC sont fabriqués sur des wafers de 150 mm, et l’utilisation de wafers plus grands pose des problèmes importants. L’expédition de composants fabriqués sur 200 mm est une étape clé pour réduire le coût des composants SiC, et la technologie de 200 mm est en cours de développement dans d’autres entreprises, notamment Wolfspeed aux États-Unis, STMicroelectronics en Sicile et onsemi en République tchèque, ainsi que Rohm et Mitsubishi au Japon.
Infineon takes on Wolfspeed for world’s largest SiC fab in €5bn battle
Les composants haute tension ont été fabriqués dans l’usine d’Infineon à Villach, en Autriche, mais l’expédition de ces composants ce trimestre est également une étape clé pour la transition du site de fabrication d’Infineon à Kulim, en Malaisie, passant des plaquettes de 150 mm aux plaquettes de 200 mm dans le module 3 nouvellement construit.
Les sites de production de Villach et de Kulim partagent des technologies et des processus qui permettent une montée en puissance rapide et des opérations fluides et hautement efficaces dans la fabrication de SiC et de nitrure de gallium (GaN).
« La mise en œuvre de notre production de SiC progresse comme prévu et nous sommes fiers des premières livraisons de produits aux clients », a déclaré le Dr Rutger Wijburg, directeur des opérations d’Infineon. « En augmentant progressivement la production de SiC à Villach et à Kulim, nous améliorons la rentabilité et continuons à garantir la qualité des produits. Dans le même temps, nous nous assurons que nos capacités de production peuvent répondre à la demande de semi-conducteurs de puissance à base de SiC. »
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