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IGBT Si de nouvelle génération pour onduleurs de véhicules électriques

Nouveaux produits |
Par Alain Dieul


Renesas Electronics Corporation a annoncé le développement d’une nouvelle génération de Si-IGBT (Silicon Insulated Gate Bipolar Transistors) qui seront proposés dans un faible encombrement tout en offrant de faibles pertes de puissance. Destinés aux onduleurs de véhicules électriques (EV) de nouvelle génération, les IGBT de génération AE5 seront produits en série à partir du premier semestre 2023 sur les lignes de tranches de 200 et 300mm de Renesas dans l’usine de la société à Naka, au Japon. De plus, Renesas accélérera la production à partir du premier semestre 2024 dans sa nouvelle usine de fabrication de tranches de 300mm de semi-conducteurs de puissance à Kofu, au Japon, pour répondre à la demande croissante de produits de semi-conducteurs de puissance.

Le procédé AE5 à base de silicium pour les IGBT permet de réduire de 10% les pertes de puissance par rapport aux produits AE4 de la génération actuelle, une économie d’énergie qui aidera les développeurs de véhicules électriques à économiser la batterie et à augmenter l’autonomie. De plus, les nouveaux produits sont environ 10% plus petits tout en conservant une grande robustesse. Les nouveaux composants Renesas atteignent le plus haut niveau de performance de l’industrie pour les IGBT en équilibrant de manière optimale les compromis entre faible perte de puissance et robustesse. De plus, les nouveaux IGBT améliorent considérablement les performances et la sécurité en tant que modules en minimisant les variations de paramètres entre les IGBT et en offrant une stabilité lors du fonctionnement des IGBT en parallèle. Ces caractéristiques offrent aux ingénieurs une plus grande flexibilité pour concevoir des onduleurs plus petits qui atteignent des performances élevées.

Les IGBT de génération AE5 ciblent les onduleurs 400-800V en offrant des tenues en tension de 750V (220A et 300A) et 1200V (150A et 200A). Leurs performances sont stables sur toute la plage de température de jonction de fonctionnement (Tj) de -40°C à 175°C.

 

www.renesas.com/products/automotive-products/automotive-power-devices/automotive-igbt-0.

 


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