
IGBT 1400 V ultrarapide pour les applications à induction
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Encapsulé dans un boîtier TO-247 avec une diode à très faible tension inverse, ce transistor de puissance exploite la technologie propriétaire de tranchées sur substrat fin de septième génération pour délivrer une tension VCE(ON) extrêmement faible et une commutation ultrarapide. Ceci réduit au minimum les pertes en conduction et en découpage, ce qui améliore le rendement du système dans les applications de chauffage à induction. L’extension de la gamme de tension du composant jusqu’à 1400 V permet de concevoir des convertisseurs à résonnance parallèle à sortie unique délivrant une puissance supérieure, tout en offrant davantage de marge de sécurité pour les systèmes les plus robustes.
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