IGBT 1200V fiables, efficaces et ultra-rapides
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Ces IGBT 1200V bénéficient de la technologie éprouvée de tranchées sur substrat fin d’IR pour améliorer les performances critiques, telles que la faible VCE(on) et le découpage ultra-rapide, afin de réduire la dissipation d’énergie et d’atteindre une densité de puissance supérieure. En outre, ces composants sont qualifiés pour tenir 1300V de manière répétée, d’où une fiabilité accrue. Ces IGBT sont encapsulés avec une diode à recouvrement inverse à forte tenue en courant, optimisée pour s’activer sans courant. Ils complètent la famille d’IGBT d’IR destinés à la commande de moteurs et aux applications de découpage de puissance.
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