Selon Bloomberg, Huawei et un développeur chinois d’équipements de fabrication de puces appelé SiCarrier ont obtenu des brevets sur l’alignement automatique pour le patterning quadruple à la fin de l’année 2023.
Les brevets décrivent l’utilisation de la lithographie dans l’ultraviolet profond (DUV) pour des expositions multiples afin d’obtenir des images à haute résolution. La méthode pourrait atteindre les seuils techniques requis pour un process de fabrication nominal de 5 nm, sans utiliser la lithographie par ultraviolet extrême (EUV), une technologie que la Chine ne peut techniquement importer en raison de sanctions US.
Si le quadruple patterning peut éviter le recours à l’EUVL à court terme, il ralentit la production de puces et pourrait encore avoir des conséquences sur le rendement en production. D’autres entreprises telles qu’Intel, Samsung et TSMC utilisent l’EUVL pour une raison bien précise : malgré le coût exorbitant des scanners EUVL, il s’agit de la solution la plus rentable en termes de volume.
Par ailleurs, Samsung et TSMC sont déjà à 3nm et se dirigent vers 2nm. Le quadruple motif de la lumière DUV n’aidera pas Huawei à progresser au-delà de 5 nm.
SiCarrier (Shenzhen Xinkailai Technology Co. Ltd.) est une startup fondée en 2021 et fait partie d’un réseau d’entreprises autour de Huawei qui tente de créer un écosystème de semi-conducteurs autosuffisant qui ne dépend pas de la technologie occidentale.
Liens et articles connexes :
Articles de presse :
Huawei prévoit d’utiliser le processus « near-7nm » de SMIC
Opinion : Indignation déplacée à propos d’une puce SMIC de près de 7 nm
Rapport : Huawei et Shenzhen soutiennent la création d’une fonderie locale
Huawei se dépêche de construire une usine de fabrication de plaquettes de silicium