HEMT GaN bidirectionnel 40 V en boîtier miniature

HEMT GaN bidirectionnel 40 V en boîtier miniature

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Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) à la fois performantes et rentables, vient de présenter le INN40W08, un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN-on-Si bidirectionnel 40 V, destiné aux appareils mobiles, comme les…
Par Alain Dieul

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Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) à la fois performantes et rentables, vient de présenter le INN40W08, un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN-on-Si bidirectionnel 40 V, destiné aux appareils mobiles, comme les ordinateurs et les téléphones portables. Le HEMT INN40W08 a été développé grâce à InnoGaN, une technologie de pointe de l’entreprise qui se caractérise par une résistance à l’état passant RDS(on) ultra-faible.

Dr Denis Marcon, Directeur Général d’Innoscience Europe et Directeur Marketing pour les États-Unis et l’Europe, déclare : « La technologie GaN a été adoptée par les fabricants de chargeurs de téléphones ces deux dernières années pour pouvoir fournir une puissance accrue, tout en réduisant la taille des dispositifs. Cependant, la percée significative réalisée par Innoscience permet désormais d’introduire aussi des HEMT GaN dans les téléphones portables, pour en améliorer l’efficacité énergétique et les performances. Grâce à son énorme capacité disponible, Innoscience est en mesure de fournir la chaîne d’approvisionnement sécurisée que les clients attendent aujourd’hui. »

Dotés d’une capacité de blocage bidirectionnel, ces nouveaux HEMT GaN INN40W08 présentent une résistance à l’état passant ultra-faible, de seulement 7,8 mΩ. Ce résultat est obtenu grâce à la technologie à couche de renforcement de contrainte brevetée InnoGaN, qui réduit la résistance surfacique de 66%. La charge de grille (QG) typique est de 12,7 nC. Le boîtier WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package) à grille 5 x 5 ne mesure que 2 x 2 mm. Cette minuscule empreinte permet d’intégrer les HEMT GaN INN40W08 dans des téléphones portables. Les applications comprennent la commutation de charges élevées côté haut, la protection contre les surtensions sur le port USB d’un téléphone portable, et différents types d’alimentations notamment les chargeurs et adaptateurs. La technologie GaN d’Innoscience permet de réaliser des systèmes de protection contre les surtensions (OVP) à la fois efficaces et compacts, en remplaçant deux MOSFET silicium par un seul transistor InnoGaN (ou BiGaN). Cela permet de réduire le coût global de la fonction OVP, et de miniaturiser celle-ci, ce qui s’avère très intéressant compte tenu des contraintes de place sur le circuit imprimé d’un téléphone portable.

Innoscience est le plus grand fabricant de dispositifs intégrés (IDM) spécialisé en technologie GaN au monde. L’entreprise possède deux usines de production de wafers, dont le plus grand site au monde dédié au GaN-on-Si en 8 pouces. La société dispose actuellement d’une capacité de 10 000 wafers 8 pouces par mois, qui va passer à 14 000 wafers 8 pouces par mois dans le courant de l’année, puis à 70 000 wafers 8 pouces par mois d’ici 2025. La société propose un large catalogue de transistors GaN-on-Si e-mode, de 30 à 150 V et en 650 V. La technologie GaN d’Innoscience garantit une conformité aux normes internationales les plus élevées, régulièrement confirmée par des homologations avancées et des tests de fiabilité.

www.innoscience.com

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