Fujitsu teste de nouvelles mémoires FRAM à SPI utilisant une technologie 0,18 µm
La mémoire FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) associe les avantages de la mémoire SRAM à écriture rapide avec les mémoires instantanées permanentes en un seul et même dispositif. La nouvelle gamme de mémoire FRAM à SPI regroupe 3 dispositifs : MB85RS256A, MB85RS128A et MB85RS64A, ce qui représente 3 niveaux de densité respectivement de 256 Kbits, 128 Kbits et 64 Kbits. Chacun de ces dispositifs opèrent à une plage de tension se situant entre 3,0 et 3,6 V et garantit jusqu’à 10 milliards de cycles de lecture-écriture ainsi que la conservation de données de 10 ans à 55 °C. La fréquence d’exécution a été nettement améliorée à un maximum de 25 MHz et dans la mesure où les produits FRAM ne nécessitent pas d’amplificateurs de tension pour le processus d’écriture, ils s’adaptent parfaitement aux applications à faible consommation. Ces produits sont proposés dans des boîtiers SOP en plastique à 8 broches avec affectation standard des broches, entièrement compatibles avec les dispositifs de type E2PROM.
Outre la gamme de mémoires FRAM à SPI, Fujitsu propose également des dispositifs autonomes à FRAM avec I²C ainsi que des interfaces parallèles. Les niveaux de densité varient entre 16 Kbits et 4 Mbits. Fujitsu envisage l’expansion de son portefeuille de FRAM afin de répondre aux exigences du marché.
Les dispositifs de mémoire autonomes FRAM sont couramment employés dans les applications relatives au métrage, à l’automatisation industrielle ainsi que dans divers secteurs industriels pour lesquels la collecte de données, un accès en écriture ultrarapide et un niveau élevé d’endurance représentent des aspects primordiaux. Les mémoires FRAM peuvent parfaitement remplacer toutes les solutions de batterie de secours et proposer un produit respectueux de l’environnement à la clientèle.
https://emea.fujitsu.com/fram
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