Diodes SiC Schottky supportant les pics de tension avec un courant de fuite réduit
Comparées aux diodes de puissance bipolaires au silicium standard, ces diodes SiC Schottky réduisent les pertes de commutation, s’adaptent à de larges plages de courants de crête sans emballement thermique et fonctionnent à des températures de jonction plus élevées, d’où une augmentation substantielle de l’efficacité du système et de sa robustesse.
La structure fusionnée du dispositif Schottky p-n (MPS) confère à ces diodes une capacité accrue à supporter les pics de tension avec un courant de fuite réduit. Proposées dans des tensions nominales de 650 V et 1200 V avec des courants nominaux de 4 A à 30 A, elles conviennent à un large éventail de secteurs dont les alimentations à découpage, les onduleurs solaires, les circuits de commande, les équipements de soudure et de découpe par plasma, et les bornes de recharge pour véhicules électriques.
Ces diodes SiC Schottky offrent des avantages clés tels qu’une charge capacitive stockée parmi les meilleures de leur catégorie et un temps de recouvrement proche de zéro qui en font des solutions adéquates pour les commutations de courant à haute fréquence, garantissent des pertes de commutation négligeables et réduisent le stress sur le commutateur opposé.
Leur chute de tension forward particulièrement performante garantit de faibles pertes de conduction et leur température maximale de jonction de 175 °C autorise une plus grande souplesse de conception et des exigences de gestion thermique moins contraignantes.
“Nous sommes fiers de présenter notre ligne de diodes SiC Schottky comme composante de notre gamme croissante de semi-conducteurs de puissance,” explique Dr. Kevin Speer, directeur du développement pour la ligne technologie des semi-conducteurs de puissance. “Avec une des chutes de tension forward et une charge capacitive stockée des meilleures dans leur catégories, les diodes SiC Littelfuse permettront à nos clients d’optimiser l’efficacité de leurs conceptions tout en améliorant la robustesse et la fiabilité de leurs équipements.”
Ces composants sont encapsulés en boîtiers TO-220 à deux broches et TO-247 à trois broches conditionnés en tubes.
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