
Diodes laser rouge et infra-rouge à double longueur d’onde
Avec les deux lasers, le rouge et l’infra-rouge, dans un petit boîtier plat à trois broches, ces diodes laser à double longueur d’onde fournissent une solution monopuce qui élimine la nécessité de multiples composants. Délivrant une puissance de sortie stable, même à hautes températures, elles offre un rendement de 20 à 30 % plus élevé que les diodes laser classiques. De plus, elles présentent aussi une exactitude exceptionnelle en termes d’espacement des faisceaux laser qui conduit à une plus grande souplesse pour l’intégration dans les conceptions.
Ces dispositifs sont des circuits à double longueur d’onde, dans les bandes 660 nm et 780 nm, fabriqués par dépôt en phase vapeur aux organo-métalliques MOCVD. Ils comprennent une structure à multi-puits quantiques adaptée pour tenir dans un boîtier de type ouvert qui réduit la taille et le poids de l’ensemble.
Les caractéristiques clés de ces deux circuits incluent, respectivement, une double longueur d’onde typique de 661/661 nm et 785/783nm, une puissance de sortie de 280/300 mW pour le rouge et 380/380 mW pour l’infra-rouge et un fonctionnement dans la gamme de température de -10 °C à +85 °C.
Conformes à la directive RoHS, ces deux composants sont particulièrement bien adaptés à l’utilisation dans les lecteurs de disques optiques, les lecteurs de codes barres et une multitude d’applications de détection telles que capteurs de distance laser à utilisation industrielle ou cytomètres en flux dans les applications biomédicales.
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