Des MOSFET super-jonction en technologie « Deep Trench » 5ème génération
Comme avec la précédente technologie DTMOS IV, le processus DTMOS V est basé sur une simple épitaxie impliquant une gravure « Deep Trench » profonde, suivie d’une croissance épitaxiale type P. Le processus « Deep Trench » se traduit par un rétrécissement du pas des cellules et une réduction de RDS(ON) par rapport aux procédés plans conventionnels. Il assure un meilleur coefficient thermique de RDS(ON) comparé aux MOSFET super-jonction conventionnels qui font appel à plusieurs étapes de croissance épitaxiale.
Avec DTMOS V, la valeur RDS(ON) du DPAK TK290P60Y pu être réduite de jusqu’à 17% par rapport à la valeur la plus basse obtenue avec le MOSFET DTMOS IV, TK12P60W. Le compromis entre performance de commutation et bruit électromagnétique EMI a également été optimisée.
Ces transistors MOSFET DTMOS V vont simplifier la conception et améliorer le rendement des applications de conversion d’énergie, notamment des alimentations à découpage, des circuits de correction de facteur de phase PFC, des éclairages à LED et autres applications AC/DC.
Les premiers modèles basés sur ce processus de 5ème génération offriront des tensions nominales de 600 V ou 650 V et se présenteront en boîtier DPAK (TO-252) ou TO-220SIS à isolement intelligent. Les valeurs nominales de résistance à l’état passant vont de 0.29 à 0.56 ohm.
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