Des DRAM 10 nm produites en grande série
Le lancement de la DRAM de classe 10 nm (1x) représente pour Samsung un bond en avant après la production en série de la première DRAM DDR3 de 4 Gb gravée en 20 nm en 2014. Les difficultés liées aux réductions d’échelle DRAM ont pu être maîtrisées grâce à la lithographie par immersion liquide au fluorure d’argon (ArF), sans l’utilisation d’équipement à rayonnement ultraviolet extrême (UVE).
« La DRAM 10 nm de Samsung va optimiser l’investissement en systèmes informatiques pour devenir un nouveau moteur de croissance pour l’industrie mondiale des mémoires, » a déclaré Young-Hyun Jun, président de l’activité Mémoires chez Samsung Electronics. « Dans un proche avenir, nous lancerons également des produits DRAM mobile de classe 10 nm de la prochaine génération de hautes capacités. Les fabricants d’appareils mobiles pourront ainsi mettre au point des produits encore plus innovants améliorant le côté pratique de l’utilisation. »
Cette mémoire DDR4 8 Gb de classe 10 nm a considérablement amélioré la productivité par wafer, avec plus de 30 % par rapport à la version précédente en 20 nm. Elle atteint un débit de transfert de données de 3200 mégabits par seconde (Mbit/s), rapidité supérieure à 30 % par rapport aux 2400 Mbit/s de la 20 nm. De plus, les modules basés sur ces puces DRAM de classe 10 nm consomment 10 à 20 % moins d’énergie que leurs équivalents en 20 nm. La conception des systèmes de calcul haute performance (CHP) de la prochaine génération, et d’autres réseaux de grandes entreprises, est donc plus efficace et ces modules pourront aussi être utilisés sur les marchés des PC et des serveurs grand public. Ainsi, leurs capacités s’échelonnent de 4 Go pour les PC portables à 128 Go pour les serveurs d’entreprise.
Grâce aux avancées de sa DDR4 DRAM classe 10 nm, Samsung prévoit de lancer également une solution DRAM mobile classe 10 nm haute capacité et grande vitesse au cours de cette année, pour renforcer sa supériorité sur le marché des téléphones intelligents ultra-HD.
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