Commutateur RF silicium compact à basse consommation
Dans la mesure où les infrastructures de communications de prochaine génération tendent vers une capacité de traitement de données de plus en plus élevée, les circuits frontaux des radios cellulaires doivent gagner en compacité et en rapidité pour faire face à une utilisation croissante du volume d’informations. Ce circuit répond à ces exigences grâce à un haut niveau d’intégration qui élimine le recours à des composants externes. Il permet également d’abaisser la consommation d’énergie à des niveaux de rendement supérieurs en fonctionnant sous une basse tension d’alimentation unique, avec une très basse consommation de courant par rapport aux actuelles solutions à base de diode PIN.
Fabriqué en technologie silicium, ce commutateur est proposé en boîtier pour montage en surface LFCSP de 4 x 4 mm. Il est spécifié pour fonctionner dans la bande de fréquence comprise entre 0,7 et 3,5 GHz avec des pertes d’insertion typiques de 0,6 dB, une isolation élevée de 50 dB, une excellente linéarité de +68 dBm et une tenue en puissance crête de 44 W en mode de fonctionnement continu. Il dispose également d’une solide protection contre les décharges électrostatiques (ESD) jusqu’à 2 kV sur toutes les broches et intègre une interface de commande rapide compatible avec la technologie CMOS pour une vitesse de commutation inférieure à 1 µs. Enfin, son architecture symétrique permet d’utiliser indifféremment les entrées RF dans les applications de forte puissance.
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