CI à 4 diodes 80 V haute température
L’intégration monolithique de ce circuit assure un excellent appariement et un meilleur alignement thermique, tandis que l’isolation diélectrique autorise toute flexibilité de conception à l’utilisateur.
Ce circuit est encapsulé dans un boîtier hermétique en céramique de type TDFP16 et d’une taille de seulement 5 x 5.5 mm. Le boîtier dispose d’un drain thermique qui lui permet d’atteindre une résistance thermique de 11 °C/W (Junction-to-case). Son haut niveau d’intégration et ses caractéristiques thermiques exceptionnelles font que le composant est particulièrement adapté pour la rectification de puissance, par exemple, dans les convertisseurs DC-DC flyback ou forward et les gate drivers.
Les diodes ont une capacité de jonction de 15 pF pour une tension de blocage de 25 V, ce qui convient pour la rectification de courants alternatifs, et permet, par exemple, d’implémenter un pont de diodes au moyen d’un seul composant. Elles offrent une tension directe de 0.33 V pour un courant direct d’1 mA, ainsi qu’un courant de fuite limité à 2 µA pour une tension de blocage de 80 V à une température de 225 °C. Ainsi, le circuit peut être utilisé efficacement dans les multiplieurs de tension à haute température comme les pompes de charges. Grâce à son courant direct de 450 mA pour une tension directe d’1.5 V à 225 °C, il peut aussi être utilisé dans les applications de limitation de tension.
"CHT-ELARA est un produit très flexible qui peut être utilisé sur toute la gamme de température (-55 °C to +225 °C) comme un pont de diodes, une simple diode, un dispositif limiteur ou toute autre configuration (cathode commune, anode commune , …)." commente Pierre Delatte, CTO chez CISSOID. "Il répond aux attentes de robustesse et de temps de vie étendu nécessaires pour les applications aéronautiques, industrielles et du monde pétrolier."
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