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Capteur de batterie haute tension hybride à effet Hall et shunt pour les VE

Capteur de batterie haute tension hybride à effet Hall et shunt pour les VE

Nouveaux produits |
Par Jean-Pierre Joosting, Daniel Cardon



LEM a lancé un nouveau capteur de courant pour la gestion des batteries dans les véhicules électriques (VE)

Hybrid Supervising Unit (HSU) combine les technologies de l’effet Hall shunt et de la boucle ouverte en un seul produit, pour répondre aux défis d’un faible encombrement, d’un faible coût et du plus haut niveau de sécurité dans le système de gestion de la batterie (BMS) du VE.

Dans un véhicule électrique, le BMS haute tension joue trois rôles essentiels : il gère l’état de charge et l’état de santé de la batterie, assure la sécurité du système et procède à l’équilibrage des cellules dans le processus d’optimisation de la batterie. Pour des niveaux de sécurité plus élevés, les ingénieurs système utilisent généralement une résistance shunt et un capteur à effet Hall pour mesurer le courant.

Aujourd’hui, LEM a combiné les capacités et les performances de ces deux technologies en une seule unité, en l’intégrant dans l’unité de déconnexion de la batterie (BDU). Les signaux de chaque section – le shunt et le capteur de courant – sont ensuite collectés par le BMS. La plage de mesure du courant va jusqu’à ±2000 A à 10s pour les deux parties, tout comme la large plage de température de fonctionnement de -40°C à +125°C.

L’EDR active et désactive l’alimentation haute tension du VE pour permettre différents modes de conduite, notamment la charge, la conduite et le freinage par récupération, ainsi que pour assurer des fonctions de sécurité.

Au niveau de l’EDR, l’HSU minimise l’encombrement, le poids et le coût (BOM), réduit l’effort d’intégration pour une mise sur le marché plus rapide, et permet des mises à niveau faciles du système sans impact sur l’agencement mécanique tout en améliorant la sécurité.

Au niveau du BMS, le HSU permet aux développeurs de systèmes d’atteindre facilement le niveau de sécurité ASIL D requis pour les VE.

La résistance du shunt est très faible, 25µΩ, et la partie Hall est isolée galvaniquement, avec une précision de 2% à 500 A et 5% à 2000 A. Les lignes de communication des signaux sont séparées en un signal de shunt et un bus analogique ou numérique pour la partie Hall.) Un signal NTC (Negative Temperature Compensation) est fourni pour la compensation de température du shunt.

Actuellement en cours d’échantillonnage, le HSU est le seul composant sur le marché qui intègre deux technologies dans une empreinte de shunt standard. Il s’agit d’une unité prête à l’emploi, qui permet un montage facile. LEM propose dans un premier temps la pièce HSU00, suivie en juin de la HSU01. Les deux pièces conviennent aux deux tailles de barres de distribution les plus courantes de l’EDR : 84 x 36 x 3 mm (HSU00) et 84 x 20 x 3 mm (HSU01).

www.lem.com

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