Canon mise sur la nano-impression pour la lithographie à 2 nm
Canon a lancé un système de lithographie pour les process à 5 nm utilisant la technologie de la nanoimpression qui, selon elle, peut être utilisée jusqu’à 2 nm.
La technologie de lithographie par nanoimpression (NIL), mise au point par EVG en Europe et Toppan au Japon, consiste à presser sur le wafer de silicium, à la manière d’un timbre, un masque de 6 pouces sur lequel est imprimé le motif du circuit sur la résine.
Comme le process de transfert des schémas de circuit ne passe pas par un mécanisme optique, les schémas de circuit fins sur le masque peuvent être reproduits fidèlement sur le wafer de silicium. Cela permet de former des circuits complexes en deux ou trois dimensions en une seule empreinte, ce qui peut réduire le coût du modelage d’un wafer de silicium.
La technique de la nanoimpression permet également d’éviter le recours à des sources de lumière ultraviolette extrême (EUV) et à des optiques complexes qui font grimper le coût des systèmes de lithographie à 2 nm du concurrent néerlandais ASML à plusieurs millions de dollars. Cela permet également de réduire les besoins en énergie d’une usine de fabrication de wafers de silicium.
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Le système NIL FPA-1200NZ2C de Canon pour les wafers de 300 mm permet de créer des motifs avec une largeur de ligne minimale de 14 nm, ce qui équivaut au nœud de 5 nm requis pour produire les semiconducteurs logiques les plus avancés. La poursuite de l’amélioration de la technologie des masques permettra à la technologie NIL d’atteindre une largeur de ligne minimale de 10 nm, selon Canon, ce qui correspond au nœud de 2 nm.
Le système de lithographie NIL utilise également une nouvelle technologie de contrôle de l’environnement qui supprime la contamination par les particules fines dans l’équipement.
Cela permet un alignement de haute précision, nécessaire à la fabrication de semiconducteurs avec un nombre croissant de couches et à la réduction des défauts dus aux particules fines, et permet la formation de circuits fins et complexes.
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Outre les puces en silicium de pointe, les systèmes de lithographie NIL peuvent être utilisés pour d’autres applications telles que les méta-lentilles pour l’optique de la réalité mixte, qui nécessitent des microstructures de dizaines de nanomètres.
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