X-FAB est désormais en mesure de fournir un service de fonderie pour l’intégration de dispositifs passifs
X-FAB est désormais en mesure de fournir un service de fonderie pour l’intégration de dispositifs passifsLa fonderie spécialisée et à signaux analogiques/mixtes X-FAB Silicon Foundries SE a encore renforcé sa maîtrise de la RF en annonçant de nouvelles capacités de fabrication de dispositifs passifs intégrés (IPD). Juste avant la Semaine européenne des micro-ondes (du 17 au 22 septembre à Berlin), elle a dévoilé le procédé XIPD. XIPD est dérivé du populaire processus RF SOI X-FAB XR013 130 nm et exploite un substrat technique ainsi qu’une épaisse couche de métallisation en cuivre. La technologie permet aux clients d’intégrer des éléments passifs (inductances, condensateurs et résistances) directement dans la conception de leurs appareils, ce qui entraîne d’importantes économies d’espace et de coûts. La fabrication est entreprise dans les installations de X-FAB à Corbeil-Essonnes, en France, capitalisant sur la vaste expérience de l’entreprise dans la métallisation du cuivre. Le déploiement continu de l’infrastructure cellulaire 5G ainsi que le développement des communications 6G et l’émergence de la dernière génération de technologies de communications radar et par satellite nécessitent des appareils offrant une prise en charge de fréquences plus large. Grâce à l’utilisation de la plate-forme XIPD, les demandes en matière de filtrage RF/EMI plus compact, de réseaux d’adaptation, de baluns et de coupleurs peuvent être satisfaites – via la fabrication de composants passifs de haute qualité entièrement intégrés avec des caractéristiques de performances améliorées. Au lieu de devoir recourir à l’utilisation de composants passifs discrets ou montés en surface, ce qui peut s’avérer gênant en raison d’une déviation des composants à haute fréquence ou d’une complexité accrue d’approvisionnement en composants, XIPD permet une approche beaucoup plus efficace qui rationalise la conception globale du système et accélère les cycles de développement. , simplifie la fabrication et réduit les dépenses d’ingénierie impliquées. Le fonctionnement sur une large gamme de fréquences, depuis la bande inférieure à 6 GHz jusqu’au haut de gamme de la bande mmW, peut être pris en charge. X-FAB est unique en ce qu’il propose un service de fonderie basé en Europe pour une production passive intégrée de toute taille. Un kit complet de conception de processus (PDK) est disponible. Cela prend en charge à la fois les environnements de conception Cadence et Keysight ADS, permettant aux clients d’effectuer des simulations précises et de réaliser du premier coup une conception correcte du sous-système RF complet. Le prototypage initial avec plusieurs clients clés a maintenant commencé. « Même si les dispositifs semi-conducteurs RF continuent de diminuer, les composants passifs qui les accompagnent restent relativement volumineux. Cette inadéquation ne correspond pas bien au besoin d’équipements électroniques plus élégants, ce qui entraîne une utilisation excessive de la surface de la carte », note Rudi De Winter, PDG de X-FAB ; « En adoptant notre technologie XIPD, il est non seulement possible de réaliser des économies d’espace de plusieurs ordres de grandeur, mais cela se traduit également par une réduction des coûts associés. Cela a le potentiel de changer véritablement la donne pour notre clientèle, en permettant le co-conditionnement de matrices actives et passives, tout en atteignant des rendements élevés.
Greg U’Ren, directeur de la technologie RF de X-FAB, ajoute : « De plus, les solutions technologiques actuelles de filtrage basées sur l’acoustique ne sont pas capables de fonctionner à une fréquence mmW et de satisfaire aux normes de communication de nouvelle génération. Notre solution XIPD ajoute de la valeur au marché en permettant à nos clients de réaliser des conceptions de systèmes RF compactes, minimisant les pertes grâce à l’incorporation d’un matériel entièrement intégré. Nous travaillons déjà sur des projets nécessitant un fonctionnement entre 70 et 80 GHz, ce qui serait impensable avec un arrangement passif discret. |
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