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Winbond arrive sur le marché HyperRAM

Winbond arrive sur le marché HyperRAM

Par Alain Dieul



L’HyperRAM, qui supporte l’interface HyperBus, est une nouvelle solution technique pour répondre à ce besoin. La technologie HyperBus dévoilée par Cypress en 2014 a produit sa première HyperRAM en 2015. Depuis lors cette technologie a fait ses preuves et s‘est positionnée clairement sur le marché, aussi Winbond Electronics a décidé de rejoindre le camp HyperRAM et de lancer des modèles de 32/64/128 Mbits. Cette décision permettra à Winbond d’étendre son portefeuille produits en réponse aux besoins de diverses applications, tout en renforçant l’écosystème HyperRAM via une participation active.

Les avantages de l’HyperRAM

Hans Liao, Technology Manager du marché DRAM chez Winbond, a déclaré : « Les trois caractéristiques essentielles de l’HyperRAM sont un nombre d’E/S réduit, une faible consommation et une commande simple, avec pour résultat une nette amélioration de la performance du produit final ». Il explique que la puissance de calcul, le traitement des données et les fonctions d’affichage graphique des microcontrôleurs traditionnels sont limitées, alors que les objets IoT de nouvelle génération pour l’automobile, l’industrie, la domotique ou les accessoires portés adoptent souvent un écran tactile comme interface de commande, ou réclament des capacités de calcul local plus importantes pour le traitement d’image et la reconnaissance de parole. Cela explique l’émergence d’une nouvelle génération de microcontrôleurs à plus haute performance et faible consommation.

Pour les applications IoT une adoption massive par le marché repose sur des considérations de design diverses telles qu’un coût réduit, une faible consommation et une puissance de traitement adaptée. Par exemple le succès des appareils fonctionnant sur batterie comme les haut-parleurs sans fil et les compteurs intelligents dépend largement de la durée de vie des piles en plus de la qualité des fonctionnalités IoT et de la simplicité de l’interface d’utilisation. Satisfaire à cette exigence de basse consommation n’implique pas le seul microcontrôleur mais aussi les autres périphériques, et l’HyperRAM a été conçue avec cet objectif.

Si l’on prend l’HyperRAM 64 Mbits de Winbond comme exemple, la consommation en Standby est de 90uW@1.8V, quand celle d’une SDRAM de même capacité tourne autour de 2000uW@3.3V. Plus important, la consommation de l’HyperRAM n’est que de  45uW@1.8V en mode Hybrid Sleep, qui est nettement différent du mode Standby des SDRAM. Et si l’on choisit une SDRAM Low Power le facteur de forme est plus désavantageux que pour l’HyperRAM, la SDRAM Low Power occupant plus de place sur le circuit imprimé.

Par ailleurs l’HyperRAM n’a que 13 signaux d’E/S, ce qui simplifie grandement le routage des signaux sur la carte. Cela permet aussi au microcontrôleur de disposer de plus de signaux pour d’autres fonctionnalités, ou d’utiliser un microcontrôleur plus compact pour un coût encore plus compétitif.

La simplification de l’interface de commande est une autre caractéristique de l’HyperRAM. S’appuyant sur une architecture de pSRAM, HyperRAM est une mémoire à rafraîchissement autonome. Elle peut par surcroît basculer en mode Standby automatiquement. Au final la mémoire système est plus facile à utiliser, et le développement du firmware et des pilotes logiciels est simplifiée. 

Un renforcement de l’écosystème HyperRAM

Sierra Lai, Directeur Marketing de la division of DRAM chez Winbond, a ajouté que les process de fabrication des microcontrôleurs passent de 55nm et 40nm à 28nm et même 16nm. Si cette réduction permet de suivre la tendance de miniaturisation de l’IoT, il faut néanmoins toujours avoir recours à de la mémoire externe comme tampon de données pour répondre aux hautes capacités de traitement exigées par les application IoT.

Mais le développement de SDRAM et pSRAM traditionnelles est désormais à maturation et ne peut plus être optimisé pour les nouvelles applications IoT. Par ailleurs la migration de process des DRAM est basée sur les nouveaux produits JEDEC DDRx/LPDDRx. L’HyperRAM de Winbond repose sur un process 38nm et descendra jusqu’à 25nm. Si l’on considère les besoins de disponibilité à long terme des applications automobiles et industrielles, l’évolution technologique du process HyperRAM de Winbond répond aux besoins de longévité produit exprimés par les clients.

www.winbond.com

 

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