Un accord tripartite pour concevoir et développer des adaptateurs GaN avancés
La société de semi-conducteurs fabless et clean-tech Cambridge GaN Devices a signé un accord tripartite avec Chicony Power Technology Co., Ltd à Taïwan et avec Cambridge University Technical Services (CUTS), au Royaume-Uni, pour concevoir et développer des adaptateurs GaN avancés offrant une grande efficacité et une haute densité de puissance ainsi que des produits d’alimentation pour centres de données.
Chicony Power est un fournisseur bien établi de solutions complètes de systèmes d’électronique de puissance axé sur les alimentations et les adaptateurs pour diverses applications, notamment les ordinateurs portables, les ordinateurs de bureau, les consoles de jeu et les solutions serveur/cloud. Le professeur Florin Udrea, chef du groupe de microélectronique haute tension et de capteurs (HVMS) à l’Université de Cambridge, agira en tant que consultant principal pour le compte de CUTS. Le groupe HVMS de l’Université de Cambridge a un historique de 25 ans dans la conception de composants de puissance, les simulations TCAD et la caractérisation de composants de puissance. Les trois parties collaboreront autour d’un projet technique intitulé « SMPS (alimentations à découpage) innovantes de faible puissance et de haute puissance avec des solutions GaN avancées ».
CGD entretient des liens historiques et permanents avec l’Université de Cambridge par l’intermédiaire de sa PDG, Giorgia Longobardi, et de son directeur technique, Florin Udrea, qui dirige toujours le groupe HVMS. Chicony Power est un leader mondial des alimentations à découpage à la pointe de l’innovation technologique, et le groupe HVMS de l’Université de Cambridge est réputé pour ses recherches et ses innovations dans le domaine des composants semi-conducteurs de puissance, de sorte que cette collaboration représente la création d’un écosystème GaN significatif, composé d’une expertise dans les systèmes et les applications, dans la recherche et dans les composants. Le projet devrait fournir des prototypes SMPS pour des adaptateurs haute densité et à très haute efficacité pour les ordinateurs portables – où Chicony Power est le leader du marché – et une unité d’alimentation Titanium + haute efficacité et à haute densité de puissance (> 100W/inch3) CRPS ainsi qu’une alimentation de puissance OCP (3 kW ~ 6 kW) pour les centres de données et les applications de serveurs d’IA.
Récemment, CGD a lancé la deuxième série de sa famille ICeGaN 650 V de HEMT au nitrure de gallium. Les HEMT ICeGaN de la série H2 utilisent l’interface de grille intelligente de CGD qui élimine pratiquement toutes les faiblesses GaN typiques du mode-e, offrant une robustesse considérablement améliorée en cas de surtension, un seuil d’immunité au bruit plus élevé, une suppression dV/dt et une protection contre les décharges électrostatiques. À l’instar des composants de la génération précédente, les nouveaux transistors ICeGaN H2 de 650 V sont simples à piloter à l’aide de pilotes de grille disponibles dans le commerce. Enfin, les HEMT H2 ICeGaN présentent un QG 10 x inférieur à celui des composants en silicium et un QOSS 5 x inférieur. Cela réduit considérablement les pertes de commutation, avec des réductions correspondantes de la taille et du poids.
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