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Transistors de puissance GaN 100-150 V refroidis au côté supérieur réduisant la température de jonction de 25 %

Transistors de puissance GaN 100-150 V refroidis au côté supérieur réduisant la température de jonction de 25 %

Nouveaux produits |
Par NicolasFeste



Grâce à leur boîtier avec refroidissement au côté supérieur En-FCQFN, les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en mode d’amélioration GaN sur silicium d’Innoscience Technology ont apporté des avantages significatifs en termes de performances thermiques.

Par exemple, à 30 A, dans le boîtier avec refroidissement supérieur la température de jonction est réduite à 39,6 °C, qui correspond à une amélioration de 25 % par rapport à 52,2 °C pour les types de boîtier avec refroidissement inférieur.

Les quatre transistors de puissance GaN, récemment introduits sur le marché dans le boîtier En-FCQFN avec refroidissement supérieur, comprennent les composants 100V INN100EQ 016A/1,8mΩ et 025A/2,8mΩ, ainsi que les dispositifs 150V INN150EQ 032A/3,9mΩ et 070A/7,0mΩ. Le brochage est compatible avec les pièces dans les boîtiers avec refroidissement inférieur, et les nouveaux dispositifs conservent également les caractéristiques de toutes les pièces d’Innoscience : faible résistance ; charge de porte réduite ; perte de commutation inférieure ; charge de récupération inverse extrêmement faible ; et d’excellentes performances d’efficacité.

Dr. Denis Marcon, Directeur Général d’Innoscience Europe, commente : « En raison de leurs excellentes propriétés électriques et de leur emballage ultra-miniaturisé, nos pièces GaN moyenne et basse tension ont été largement acceptées, en particulier dans les centres de données, les systèmes photovoltaïques et de stockage d’énergie, les commandes de moteurs et les alimentations pour les communications. Le nouvel emballage En-FCQFN avec refroidissement supérieur, qui optimise la gestion thermique, limite davantage l’augmentation de la température du système, élargissant ainsi le marché potentiel.

La série GaN 100V~150V d’Innoscience est également disponible en WLCSP, FCQFN, LGA et autres types de boîtiers, couvrant différentes plages de résistance à l’état conducteur et domaines d’application. Avec ces appareils, les nouveaux composants dans le boîtier En-FCQFN avec refroidissement supérieur sont disponibles en volumes de masse.

Innoscience

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