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Toshiba Memory Europe dévoile des dispositifs UFS à mémoire Flash 3D 64 couches

Toshiba Memory Europe dévoile des dispositifs UFS à mémoire Flash 3D 64 couches

Par Alain Dieul



La nouvelle gamme sera disponible en quatre capacités : 32 Go, 64 Go, 128 Go et 256 Go. Tous ces dispositifs intègrent une mémoire Flash et un contrôleur dans un même boîtier à la norme JEDEC, de 11,5 x 13 mm. Le contrôleur assure la correction d’erreur, le nivellement d’usure, la conversion logique-physique d’adresse et la gestion des blocs défectueux, ce qui permet aux utilisateurs de simplifier le développement système.

Ces quatre dispositifs sont conformes à la norme JEDEC UFS Ver2.1, y compris HS-GEAR3, dont la vitesse d’interface théorique peut atteindre 5,8 Gbits/s par voie (2 voies = 11,6 Gbits/s) sans augmentation de la consommation. Les performances en lecture et en écriture séquentielle du dispositif 64 Go sont respectivement de 900 Mo/s et 180 Mo/s, tandis que les performances en lecture et en écriture aléatoire sont respectivement de 200 % et de 185% de celles de la génération précédente. Grâce à son interface série, l’UFS supporte le full-duplex, ce qui permet à la fois la lecture et l’écriture simultanée, entre le processeur hôte et le périphérique UFS.

https://toshiba.semicon-storage.com

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