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STMicroelectronics signe un accord de coopération sur la technologie LDMOS d’Innogration

STMicroelectronics signe un accord de coopération sur la technologie LDMOS d’Innogration

Par Alain Dieul



Associant un canal de conduction de longueur réduite à une tension de claquage élevée, les composants LDMOS répondent aux exigences d’applications telles que les amplificateurs de puissance RF où ils peuvent être utilisés dans les stations de base pour systèmes de communications sans fil, ainsi que dans les amplificateurs de puissance intégrés à des systèmes industriels et commerciaux. L’accord avec Innogration élargit la gamme d’applications que ST peut adresser avec la technologie LDMOS.

www.st.com.

 

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