Soitec et Resonac signent un accord de développement conjoint autour du SmartSiC™
Le japonais Resonac Corporation et Soitec , ont signé un accord pour le développement des plaques de carbure de silicium SmartSiC™ de 200 mm en utilisant les substrats et les procédés d’épitaxie de Resonac. Il faut voir avec cet accord une étape majeure pour le déploiement de la technologie de carbure de silicium à haut rendement de Soitec au Japon et sur d’autres marchés internationaux.
Il faut voir dans le carbure de silicium SmartSiC, un matériau semiconducteur composé disruptif, qui offre des performances et une efficacité supérieures à celles du silicium dans les dispositifs d’électronique de puissance. Il permet une conversion d’énergie plus efficace, des conceptions plus légères et plus compactes et une réduction globale des coûts des systèmes. Autant de facteurs clés de succès dans les applications industrielles et les véhicules électriques.
Les plaques de carbure de silicium SmartSiC™ de Soitec, sont produites avec la technologie SmartCut™ de la Société. Elle permet de lier une couche ultrafine de plaque « donneuse » mono-SiC de haute qualité à une plaque polycristalline (polySiC) à faible résistivité. Le substrat modifié obtenu améliore considérablement les performances des dispositifs et les rendements de production. En permettant de multiples réutilisations de la plaquette mono-SiC de première qualité, le processus offre une réduction de la consommation d’énergie globale lors de la fabrication des plaques.
Nouvelle usine Soitec
Soitec dispose d’une nouvelle usine de fabrication à Bernin, près de Grenoble, principalement dédiée à la production de plaques SmartSiC™ pour les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les applications de composants d’équipements industriels.
Christophe Maleville, Directeur Général adjoint en charge de la Technologie et de l’Innovation de Soitec, a déclaré : « Le carbure de silicium est en train d’être adopté pour les applications industrielles et les véhicules électriques, où il apporte un avantage significatif en termes de coût. Pour accélérer cette adoption, le rendement et la productivité doivent être améliorés. L’association des matériaux SiC de Resonac à la technologie SmartSiC™ en 200 mm de Soitec,, favorisera la disponibilité en volume de substrats ‘epi-ready’. La combinaison de nos technologies et produits respectifs permettra d’optimiser ces substrats en utilisant l’épitaxie de haute qualité de Resonac.
Pour Makoto Takeda, General Manager de la division Device Solutions de Resonac. : « Ce partenariat avec Soitec, s’inscrit dans le cadre de notre engagement vers le développement de solutions durables et économes en énergie dans le domaine des semiconducteurs. En associant les plaques de carbure de silicium monocristallin de haute qualité de Resonac à la technologie SmartSiC™ de Soitec, nous rendrons encore plus efficace la production de plaques de carbure de silicium de 200 mm tout en diversifiant la chaîne d’approvisionnement en epi-wafers. »
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