SK Hynix lance la production en volume de mémoire flash 3D NAND
La mémoire MLC (multulayer cell) est constituée de 36-couches 128Gbit NAND. De plus, Hynix est en cours de conception d’un circuit TLC (triple-layer cell) de 48-couches en 2015 pour être en mesure de répondre à la demande du marché des "disques durs" statiques en 2016. L’annonce a été faite lors du rapport annuel et des résultats de la société.
En mars 2015, Toshiba a commencé l’échantillonnage d’une mémoire flash NAND 128Gbit 48-couche en même temps que Micron Technology a annoncé l’échantillonnage d’une version 3D 256Gbit MLC NAND avec une sélection de partenaires. On attend de la part de Micron, une version 384Gbit qui devraient être en la pleine production au dernier trimestre 2015.
Samsung a été le leader pour la production de masse de mémoires 3D NAND avec une annonce en Novembre 2014 d’une mémoire flash NAND 128Gbit à cellules multi-niveaux et 32 couches de mémoire dans le sens vertical.
https://www.skhynix.com/gl/products/nand.jsp