Semi-conducteurs de puissance pour dispositifs à large bande interdite
Au cours du salon PCIM Europe, du 11 au 13 juin 2024 à Nuremberg, en Allemagne, ROHM présente ses nouvelles solutions de semi-conducteurs de puissance avec un accent particulier sur les dispositifs à large bande interdite. Le portefeuille SiC, Si et GaN de ROHM est conçu pour répondre aux besoins de différents secteurs en se concentrant sur les applications d’e-mobilité et d’alimentation électrique.
Suivant sa devise « Empowering Growth, Inspiring Innovation », ROHM démontre comment il résout les défis sociaux et écologiques avec ses technologies favorisant la durabilité.
Les produits phares de ROHM sur son stand 304 dans le hall 9 sont les suivants :
SiC :
ROHM – une entreprise leader dans le domaine du SiC – présentera en avant-première de nouveaux modules de puissance SiC pour les applications automobiles lors de PCIM Europe 2024. En outre, ROHM montrera la conversion de sa production à des plaquettes SiC de 8 pouces et fournira des perspectives supplémentaires concernant le développement de ses produits SiC.
Les MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM atteignent des niveaux inégalés dans l’industrie de faible résistance à l’enclenchement, minimisant les pertes de commutation et supportant des tensions grille-source de 15V et 18V.
GaN :
ROHM présente la famille EcoGaN de HEMT GaN de classe 150V et 650V dans plusieurs EVK. La série d’étages de puissance IC BM3GxxMUV-LB – comprenant des HEMT GaN 650V intégrés et des Gate Driver – sera complétée par des convertisseurs PFC et flyback QR (Quasi-Resonant) intégrés plus élevés. Ces dispositifs constituent une solution optimale pour tous les systèmes électroniques qui nécessitent une densité de puissance et un rendement élevé. ROHM exposera plus de 10 cartes de sa famille EcoGaN – montrant leurs contributions à l’intérieur de solutions industrielles.
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