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Samsung produit désormais la première DRAM de classe 10 nm de 2e génération en grande série

Samsung produit désormais la première DRAM de classe 10 nm de 2e génération en grande série

Par Alain Dieul



« En mettant au point des technologies innovantes pour la conception et la gravure des circuits DRAM, nous avons surmonté un grand obstacle à l’évolutivité de la mémoire DRAM », a déclaré Gyoyoung Jin, président de la division Mémoires chez Samsung Electronics. « Grâce à une rapide montée en puissance de la DRAM 10 nm de 2e génération, notre production de DRAM de classe 10 nm va largement augmenter. Nous pourrons ainsi répondre à la forte demande du marché et continuer à renforcer notre compétitivité ».
La DDR4 10 nm de 8 Gb de 2e génération de Samsung offre un gain de productivité d’environ 30 % par rapport à la DDR4 10 nm de 8 Gb de 1e génération. En outre, les niveaux de performance et d’efficacité énergétique de la nouvelle DDR4 de 8 Gb ont été respectivement améliorés d’environ 10 et 15 %, grâce à l’utilisation d’une technologie de conception de circuit avancée et exclusive. La nouvelle DDR4 8 Gb peut tourner à 3 600 mégabits par seconde par broche, comparativement aux 3 200 Mbit/s de la DDR4 8 Gb 1x-nm de la société.
Pour obtenir ces résultats, Samsung a appliqué de nouvelles technologies, sans utiliser la lithographie EUV. L’innovation permet l’utilisation d’un système de détection de données de cellule à haute sensibilité et d’un système progressif « à espace d’air ».
Dans les cellules de la DRAM de classe 10 nm de 2e génération de Samsung, un système de détection de données innovant détermine avec plus de précision les données stockées dans chaque cellule, ce qui augmente considérablement le niveau d’intégration des circuits et la productivité de la fabrication.
La nouvelle DRAM de classe 10 nm utilise également un espace d’air exclusif placé autour de ses lignes de bits pour réduire considérablement la capacité parasite. Cet espace d’air permet non seulement un niveau de miniaturisation plus poussé, mais également un fonctionnement rapide des cellules. Grâce à ces progrès, Samsung accélère maintenant ses projets de manière à introduire beaucoup plus rapidement des puces et des systèmes DRAM de nouvelle génération, notamment DDR5, HBM3, LPDDR5 et GDDR6, destinés aux serveurs d’entreprise, aux appareils mobiles, aux superordinateurs, aux systèmes de calcul haute performance et aux cartes graphiques haute vitesse.
Samsung a terminé de valider ses modules DDR4 de classe 10 nm de 2e génération avec les fabricants de processeurs et prévoit maintenant de travailler en étroite collaboration avec ses clients TI du monde entier à la mise au point de systèmes informatiques de nouvelle génération plus efficaces.
En outre, le premier producteur mondial de DRAM s’attend non seulement à augmenter rapidement le volume de production des gammes DRAM de classe 10 nm de 2e génération, mais aussi à fabriquer davantage de DRAM de première génération 10 nm de 1e génération afin de répondre aux besoins croissants de DRAM dans les systèmes électroniques haut de gamme du monde entier.

www.samsung.com/semiconductor

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