Samsung ouvre la voie à l’ère des puces mémoires V-NAND de 1 térabit
Par
Alain Dieul
L’arrivée, l’an prochain, de la puce V-NAND de 1 Tb rendra possible des mémoires de 2 To serties dans un seul boîtier V-NAND en superposant 16 matrices de 1 Tb, ce qui constituera l’une des plus importantes avancées de la décennie dans le domaine des mémoires.
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