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Rohm présente une technologie de circuit intégré de contrôle à ultra-haute vitesse pour dispositifs GaN

Rohm présente une technologie de circuit intégré de contrôle à ultra-haute vitesse pour dispositifs GaN

Nouveaux produits |
Par Daniel Cardon



Des économies d’énergie et une miniaturisation accrues dans les applications d’alimentation en combinant des dispositifs GaN et des circuits intégrés de contrôle à ultra haute vitesse

La technologie des circuits de contrôle ultra-rapide de ROHM maximise les performances du GaN et d’autres dispositifs de commutation à grande vitesse. En effet, l’adoption des circuits GaN s’est rapidement étendue en raison de leurs caractéristiques de commutation élevée supérieures aux autres dispositifs et de ce fait,  les circuits intégrés de contrôle, chargés de les piloter ont dû suivre les performances, ce qui  est devenue un réel  défi.

Technologie des Circuits Intégrés  de contrôle.

ROHM a donc  fait évoluer sa technologie de contrôle d’impulsion ultra-rapide Nano Pulse Control™. Dédiée aux circuits intégrés d’alimentation, faisant passer la largeur d’impulsion de contrôle des 9ns conventionnels à 2ns,  en utilisant une configuration de circuit unique, qui permet de passer des tensions haute jusqu’à 60 V à basses jusqu’à 0,6 V avec un seul circuit intégré d’alimentation.

La prise en charge de composants périphériques plus petits pour la commutation haute fréquence des dispositifs GaN réduit la zone de montage d’environ 86 % par rapport aux solutions conventionnelles lorsqu’elles sont associées à un circuit d’alimentation EcoGaN™. Cette technologie utilisée pour les dispositifs GaN, maximise les performances et tire le meilleur parti de la commutation à haute vitesse.

ROHM commercialiser ces  circuits intégrés de contrôle utilisant la technologie Nano Pulse Control™, avec dans un premier temps  la fourniture  d’échantillons des circuits intégrés de contrôle CC-CC 100V 1ch au cours du second semestre 2023. Leur utilisation conjointe avec des dispositifs ROHM GaN (série EcoGaN ™) se traduira par d’importantes économies d’énergie et de miniaturisation dans un grand nombre d’applications, y compris les alimentations de base, les centres de données, les équipements d’automatisation dans l’industrie et les drones.

Professeur Yusuke Mori, École supérieure d’ingénierie, Université d’Osaka : « Le GaN est très présent depuis de nombreuses années en tant que matériau semiconducteur de puissance permettant de réaliser des économies d’énergie, mais des obstacles existent comme la qualité et le coût. Nous avons mis en place une production de masse pour les dispositifs GaN qui améliore la fiabilité tout en développant des circuits intégrés de contrôle qui maximisent leurs performances. C’est un grand pas vers l’adoption généralisée des dispositifs GaN. »

Nano Pulse Control

La technologie de contrôle d’impulsion ultra-rapide de ROHM qui permet d’obtenir un temps de commutation ON (largeur de contrôle du circuit intégré d’alimentation) de l’ordre des nanosecondes (ns), permettant de convertir des hautes en basses tensions à l’aide d’un seul circuit intégré – contrairement aux classiques solutions nécessitant deux circuits intégrés d’alimentation.

Nano Pulse Control  –  Rohm

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