Rohm présente les premiers composants pour convertisseurs AC/DC avec MOSFET SiC 1700V intégré
Les semi-conducteurs de puissance SiC offrent de meilleures valeurs de rendement énergétique et de miniaturisation ainsi que des capacités de tension plus élevées que les dispositifs de puissance Si existants. Ces dernières années, la prise de conscience croissante en faveur des économies d’énergie a encouragé l’adoption des semi-conducteurs de puissance SiC dans les applications industrielles 400 VAC. D’autre part, les équipents industriels sont constitué d’un circuit d’alimentation électrique principal et d’une alimentation électrique auxiliaire intégrée qui alimente divers systèmes de commande. Dans ces applications, l’utilisation des MOSFET Si basse tension et des IGBT limitent les économies d’énergie.
En réponse, ROHM est à la pointe de l’industrie dans le développement de circuits intégrés qui maximisent les performances des semi-conducteurs de puissance SiC, devenant ainsi le premier en 2015 à proposer des circuits intégrés de commande de convertisseur AC/DC pour piloter des MOSFET SiC à haute tension et faible perte. Nous avons créé les premiers composant pour convertisseurs AC/DC de l’industrie avec MOSFET SiC intégré promouvant l’adoption de la technologie MOSFET SiC dans les équipements industriels.
La série BM2SCQ12xT-LBZ se compose des premiers composants de l’industrie avec MOSFET SiC 1700V intégré. Cette série permet de réaliser des économies d’énergie considérables et facilite la configuration d’onduleurs efficaces en résolvant bon nombre des problèmes de conception affectant les solutions discrètes. L’intégration d’un MOSFET SiC et d’un circuit de commande optimisé pour les alimentations auxiliaires des équipements industriels dans un seul boîtier réduit considérablement le nombre de composants par rapport aux configurations conventionnelles (de 12, avec en plus le dissipateur thermique à un seul circuit intégré). Il permet également de minimiser le risque de défaillance des composants et le temps de développement requis lors de l’adoption des MOSFET SiC. De plus, ce produit permet d’améliorer le rendement énergétique de 5 % (et de diminuer la perte de puissance de 28 %). Ces caractéristiques se traduisent par une réduction considérable de la taille, une fiabilité améliorée et des économies d’énergie supérieures dans les applications industrielles.
Les avantages du MOSFET SiC
Les MOSFET SiC offrent un certain nombre d’avantages par rapport à leurs homologues en silicium dans la plage des hautes tensions, tels que des pertes de commutation et de conduction plus faibles, une capacité de gestion de puissance plus élevée et une résistance accrue aux changements de température. Cela permet de réduire le nombre de composants nécessaires et la zone de montage tout en améliorant les économies d’énergie lorsqu’il est utilisé dans les convertisseurs AC/DC et DC/DC, par exemple en augmentant l’efficacité de conversion de puissance et en diminuant la taille des composants de dissipation de chaleur et de la bobine par un fonctionnement à haute fréquence.
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