
Relais MOSFET minimisant le courant de fuite
Ils présentent toutefois une durée de vie moindre, du fait de l’abrasion des contacts qui réduit à terme la précision des mesures. Utilisés de manière intensive, ils doivent être fréquemment remplacés, entraînant ainsi une hausse des coûts de maintenance.
Grâce à sa structure de circuit en T qui envoie la majeure partie du courant de fuite vers la terre, le G3VM-21MT allie effectivement les avantages des relais mécaniques et MOSFET, pour constituer une solution de commutation précise, compacte et durable, sans contacts mécaniques. Pour obtenir le petit format de 5 mm x 3,75 mm x 2,7 mm, le circuit en T est intégré au module. Le dispositif est ensuite monté en surface et proposé en SPST, sans aucun besoin de configuration. Il présente une tension de charge maximale impressionnante de 20 V, et sa performance d’isolation est inférieure à -30 dB à 1 GHz.
Omron prévoit de créer d’autres modules de relais MOSFET à circuit en T, notamment un modèle de haute intensité et un modèle de haute tension.
