Régulateurs de tension CMOS-LDO en boîtier DFN4
En dépit de leur taille réduite, ces régulateurs présentent des chutes de tension typiques de seulement 210 mV avec une tension de sortie de 2.5 V et un courant de 300 mA. En plus d’une tension de bruit en sortie de seulement 38 μV eff typique, pour 2.5 V et 10 mA en sortie, ils offrent également une réjection d’ondulation typique de 70 dB. Enfin, leur très bonne réponse transitoire en charge, avec seulement 80 mV (typique) pour une variation de courant de sortie de 1 à 300 mA, contribue aux excellentes performances de cette série.
Les autres fonctionnalités intégrées sont, notamment, une protection de courant d’appel, une protection contre les surintensités, une coupure thermique et une fonction d’autodécharge en sortie, qui permettent des performances globales optimales au niveau bruit et autonomie de batterie, tout en réduisant le recours aux composants externes.
Présentés en boîtier miniature DFN4 de seulement 1.0 x 1.0 x 0.58 mm, ces dispositifs très intégrés conviennent particulièrement pour les smartphones, les tablettes et autres dispositifs portables alimentés par batterie, qui nécessitent une faible consommation d’énergie, des performances élevées et un minimum d’encombrement sur la carte. En outre, ces régulateurs existent également en boîtier standard SOT-25, dans la famille TCR3DF, pour les applications industrielles et grand-public.
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