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Projet qui vise à créer une fonderie térahertz InP-on-Si européenne et un écosystème

Projet qui vise à créer une fonderie térahertz InP-on-Si européenne et un écosystème

Actualité générale |
Par Peter Clarke, Daniel Cardon



Un projet de recherche européen de trois ans dirigé par Soitec a commencé à travailler sur l’InP sur silicium pour les circuits de télécommunications 6G, la détection et la photonique.

Les circuits en phosphure d’indium fonctionnent intrinsèquement à des fréquences proches ou supérieures à 1THz, offrant des vitesses supérieures et une efficacité énergétique accrue par rapport aux technologies silicium.

Le projet – qui comprend 27 organisations membres et sociétés commerciales – s’appelle Move2thz et a officiellement démarré le 1er juin 2024. Les objectifs du projet sont de créer une norme mondiale pour la production de phosphure d’indium sur des tranches de silicium et de créer une installation compétitive pour la production de masse de circuits InP en Europe.

Participants au projet Move2THz par pays. Source : Soitec 

Selon le projet, la création de la norme permettra d’utiliser des plaquettes de silicium de 300 mm de diamètre pour les circuits InP destinés aux capteurs, à la photonique et aux circuits 6G. Cela permettra de limiter l’utilisation de plaquettes InP en vrac, de minimiser l’utilisation de l’InP et de réduire l’empreinte écologique de la technologie.

Le projet dispose d’un budget de 40,67 millions d’euros, l’Union européenne contribuant à hauteur de 11,96 millions d’euros. Les gouvernements français, Suisse, Allemand, suédois hollandais et belge, apportent un financement complémentaire. Le projet vise à créer une plateforme technologique et un écosystème connexe couvrant l’ensemble de la chaîne de valeur.

Les applications potentielles vont de la photonique pour les centres de données et l’intelligence artificielle aux frontaux de radiofréquence et aux antennes intégrées pour les communications mobiles 6G, la détection radar sub-terahertz et au-delà.

La technologie Smartcut de Soitec, utilisée pour les plaques de silicium sur isolant (SOI), est un point de départ pour la production de plaques d’InP sur silicium.

www.move2thz.eu

www.soitec.com

 

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