Processus 3nm, contrôle de la tension et de la température IP
Omni Design Technologies a annoncé la disponibilité de son IP de surveillance du processus, de la tension et de la température (PVT) de haute précision, à faible tension, intégré dans le silicium.
Le moniteur PVT ODT-PVT-ULP-001C-3, qui permet une intégration simple et transparente, ne nécessite qu’une seule alimentation en tension de base et une interface numérique, ca qui élimine la complexité liée à la nécessité d’une tension d’alimentation supplémentaire tout en garantissant une surveillance précise et très localisée à proximité des sous-systèmes numériques critiques.
L’ODT-PVT-ULP-001C-3 est un moniteur de température, de tension et de processus à très faible consommation, conçu à l’aide d’un processus CMOS de 3 nm, qui fonctionne dans une plage de température de -40°C à 150°c. Le moniteur de tension supporte quatre entrées différentielles ou asymétriques avec une plage de tension allant jusqu’à ±0,75 V. Un mode « one-shot » permet à l’utilisateur d’initier une mesure de température ou de tension à la demande. Lorsqu’il n’est pas utilisé, l’ensemble du bloc passe en mode veille à très faible consommation. Le moniteur de processus inclus fournit des informations sur les variations de processus des transistors PMOS et NMOS du cœur, ainsi que des dispositifs PMOS et NMOS d’E/S.
Les nœuds de processus avancés à 3 nm repoussent les limites de l’activité et de la dissipation thermiques. Ce défi conduit souvent à l’intégration de bandes de garde dans les conceptions, ce qui se traduit par un rapport coût/performance/réduit. Le moniteur PVT Omni, réparti sur l’ensemble d’un produit 3nm, permet d’optimiser les performances et de réduire au minimum les bandes de garde, tout en offrant plusieurs avantages supplémentaires, notamment
- Un rail d’alimentation à tension unique permet un déploiement et une intégration simples dans des puces numériques ou à signaux mixtes complexes.
- Des interruptions qui peuvent être définies lorsque les températures atteignent des seuils critiques, ce qui permet au système de s’ajuster et de maximiser les performances grâce à la mise à l’échelle dynamique de la tension et de la fréquence (DVFS).
- Surveillance et atténuation des problèmes de vieillissement et de fiabilité du silicium à plus long terme, ainsi que des attaques de sécurité par canal latéral.
- Collecte de données sur le profil thermique afin d’améliorer l’analyse et la conception des futurs produits.
« Le moniteur PVT de tension du cœur d’Omni Design permet un déploiement simple et rapide pour les conceptions 3nm avancées en utilisant un seul rail d’alimentation de tension du cœur. En outre, les gains d’efficacité rendus possibles par notre solution de surveillance PVT se traduisent par une optimisation des performances du silicium dans les centres de données », a déclaré le Dr Kush Gulati, président-directeur général d’Omni Design Technologies. « Le fait d’économiser ne serait-ce que 1 % d’énergie dans le centre de données grâce à la mise à l’échelle dynamique de la tension et de la fréquence à l’aide de la solution PVT d’Omni Design peut permettre d’économiser plus de 3 millions de dollars par an en coûts d’exploitation. »
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