Onduleurs automobiles : un accord Cambridge GaN Devices et IFP Energies nouvelles
Cambridge GaN Devices (CGD), entreprise de semi-conducteurs cleantech et fabless, qui développe des dispositifs de puissance à haut rendement énergétique à base de GaN, vient de signer un accord avec IFP Energies nouvelles (IFPEN), l’organisme public français de recherche et de formation dans les domaines de l’énergie, du transport et de l’environnement, pour développer un onduleur automobile innovant utilisant des dispositifs GaN avancés.
« Ce partenariat avec CGD est un élément clé pour nos activités futures dans le domaine de l’électronique de puissance pour l’e-mobilité, en particulier pour la prochaine génération d’onduleurs qui nécessite un saut technologique pour réduire l’encombrement et augmenter la densité de puissance, tout en maîtrisant les coûts. Nous comptons sur la coopération avec cette jeune entreprise dynamique et extrêmement innovante, pour relever les ambitieux défis que posent l’avenir de l’e-mobilité. » déclare Gaëtan Monnier Directeur de la division mobilité IFPEN.
« L’innovation technologique est au cœur de toutes les activités d’IFPEN. C’est pourquoi nous sommes particulièrement ravis qu’IFPEN ait choisi les HEMT GaN ICeGaN de CGD pour concevoir ses nouveaux onduleurs destinés à l’automobile. IFPEN partage avec CGD la conviction que des partenariats étroits entre acteurs clés sont essentiels à la réussite de tout projet. Et nous sommes donc fiers de faire partie de ce programme. » déclare Giorgia Longobardi cofondatrice et Directrice Générale CGD.
Ce partenariat entre IFPEN et CGD combine deux domaines d’expertise très complémentaires. IFPEN comprend bien le marché automobile et ses objectifs de performance. L’institut jouit d’une position solide dans le développement d’onduleurs et de logiciels, avec une connaissance approfondie des algorithmes et des équipements nécessaires. La technologie GaN de CGD a permis de créer la première famille de HEMT GaN 650 V facile à utiliser et évolutive du marché. La série ICeGaN™ H1 de la société comprend des dispositifs HEMT eMode monopuce, qui peuvent être pilotés comme des MOSFET, sans nécessiter de drivers de grille spéciaux, de circuits de pilotage complexes et générateurs de pertes, d’exigences d’alimentation en tension négative, ni de composants de verrouillage supplémentaires. Les HEMT ICeGaN ne font appel à aucune architecture cascode, configuration multi-puces complexe, ou solution intégrée thermiquement sophistiquée. Il s’agit de solutions monopuce à logique propriétaire intégrée, qui peuvent être associées à des drivers ou des contrôleurs de grille standard. Ces dispositifs sont extrêmement fiables, et conviennent parfaitement aux environnements exigeants, comme ceux de l’automobile.
www.ifpenergiesnouvelles.fr/
https://camgandevices.com/
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