MOSFET doubles avec très basse résistance à l’état passant
Par ailleurs, on demande aux MOSFET d’offrir une commutation à vitesse plus élevée ainsi qu’une résistance à l’état passant plus basse afin d’améliorer encore l’efficacité et la miniaturisation des moteurs. Pour répondre à ces besoins, ROHM a développé ses MOSFET 40 V/60 V de 6ème génération en utilisant les derniers processus de précision pour les MOSFET Nch, suite à la sortie des MOSFET Pch de dernière génération annoncée à la fin de l’année dernière. Cette combinaison permet à ROHM de fournir des MOSFET doubles Nch+Pch de pointe avec une tenues en tension de ±40 V/±60 V requise pour l’entrée 24 V. En outre, la société a également développé la série QH8Kxx/SH8Kxx (Nch+Nch) de +40 V/+60 V pour répondre à un plus large éventail de besoins.
La série QH8Mx5/SH8Mx5 utilise les derniers processus pour parvenir à une résistance à l’état passant plus basse de premier ordre, 61 % plus basse que les MOSFET Pch dans les produits MOSFET doubles dans la classe ±40 V. Cela contribue à réduire significativement la consommation d’énergie dans de nombreuses applications. De plus, l’intégration de 2 appareils dans un seul boîtier contribue à miniaturiser les applications en réduisant la surface de montage et en diminuant la charge de travail requise pour la sélection des composants (combinaison de Nch et Pch). Par la suite, ROHM continuera d’élargir la gamme pour inclure des produits 100 V et 150 V destinés aux équipements industriels qui exigent des tensions plus élevées, contribuant ainsi aux exigences du marché vers une consommation d’énergie plus faible et une réduction de la taille d’une grande variété d’applications.
Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :
