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MOSFET canal-N compacts à faible résistance à l’état passant pour l’automobile

MOSFET canal-N compacts à faible résistance à l’état passant pour l’automobile

Nouveaux produits |
Par Daniel Cardon



Ces MOSFET sont implantés dans des boîtiers TSON Advance (WF) pour montage en surface, ce qui garantit une empreinte minimale de 3,3 × 3,6 mm (typique) sur la carte. Ces MOSFET peuvent remplacer des produits d’une taille de 5 × 6 mm. Grâce à l’utilisation de boîtiers à flancs mouillables sans pattes, le placement automatique et l’inspection optique automatisée (AOI) sont facilités.

Conformes à la norme AEC-Q101, ces MOSFET sont plus particulièrement destinés aux applications automobiles. Leur compacité contribuent à la réduction de l’encombrement des unités de commande électronique (ECU) des véhicules. Les régulateurs à découpage, les convertisseurs CC-CC et les commandes moteurs sont d’autres applications potentielles.

Les XPN3R804NC et XPN7R104NC ont tous deux une tension nominale de 40 V, tandis que les XPN6R706NC et XPN12006NC fonctionnent jusqu’à 60 V

https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPN3R804NC.html

 

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