MOSFET à superjonction 600V protégé par une diode Zener
La société Coréenne Magnachip a lancé sa 6ème génération de transistor à effet de champ à oxyde métallique super jonction (SJ MOSFET) de 600V, améliorée par la technologie de microfabrication et l’ajout d’une diode Zener supplémentaire pour la protection.
Les MOSFET 600V SJ sont développés sur le procédé de microfabrication 180nm en utilisant un procédé qui réduit les pas de cellule de 50% et diminue la résistance RDS(on) de 42%. Cela permet au MOSFET 600V SJ de tenir dans un boîtier Decawatt (DPAK) tout en offrant un faible RDS(on) de 175mΩ et une densité de puissance plus élevée pour les besoins des serveurs et des téléviseurs OLED.
Le processus réduit également la charge de grille totale de 29 % par rapport à la génération précédente, ce qui se traduit par une réduction de la perte de commutation et une amélioration de l’efficacité énergétique, offrant ainsi aux concepteurs de produits une plus grande souplesse pour diverses applications.
La diode Zener est intégrée entre la grille et la source pour renforcer la robustesse et la fiabilité du MOSFET dans une application et l’empêcher de subir des dommages causés par des surtensions externes ou des décharges électrostatiques.
« Après le lancement de ce MOSFET, Magnachip prévoit de dévoiler d’autres MOSFET SJ de 6e génération, notamment ceux dotés d’une diode de corps à récupération rapide, en 2024 », a déclaré YJ Kim, PDG de Magnachip. « En phase avec la demande des clients, notre innovation technique renforcera notre présence dans l’industrie et notre pénétration du marché mondial. »
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