Des MOSFET automobiles dotés d’un nouveau boîtier pour plus de performances
Toshiba a lancé une paire de MOSFET de puissance à canal N de 40 V répondant aux critères de qualité automobile, basés sur leur dernier processus U-MOS IX-H.
Les applications automobiles critiques en matière de sécurité, telles que les systèmes de direction, de freinage et de conduite autonome, nécessitent un plus grand nombre de dispositifs afin de répondre aux exigences de redondance. Ainsi un MOSFET de puissance avec une densité de courant élevée s’impose en raison des contraintes d’encombrement dans l’équipement. Les deux nouveaux MOSFET – (1) XPJR6604PB et (2) XPJ1R004PB – utilisent un nouveau boîtier S-TOGL™ qui offre des avantages dans les applications automobiles, notamment son encombrement de 7,0- × 8,44- × 2,3-mm, comparée au boîtier DPAK+ de 6,5 × 9,5 mm de Thoshiba .
les deux composants ont une valeur VDSS de 40V. Si le premier délivre un courant de drain continu (ID) de 200 A, le second offre 160 A. Ils sont tous les deux conçus pour un courant impulsionnel (IDP) trois fois supérieur à cette valeur, soit 600 A et 480 A. La valeur de 200 A est supérieure à celle atteinte par le boîtier DPAK+. Les produits sont sans bores internes, avec une structure multibroche pour les conducteurs de source, ce qui diminue considérablement la résistance du boîtier.
Une combinaison parfaite
La combinaison du boîtier S-TOGL™ avec le procédé U-MOS IX-H de Toshiba donne au XPJR6604PB une valeur de résistance drain/source à l’&t& passant t (RDS(ON)) de seulement 0,66 mΩ (XPJ1R004PB = 1,0 mΩ), ce qui représente une réduction d’environ 11 % par rapport au boîtier TO-220SM(W) existant de Toshiba, le TKR74F04PB. Par rapport à ce dispositif, l’emprise sur le circuit imprimé a été réduite d’environ 55% tout en conservant les caractéristiques de résistance thermique canal/boîtier (Zth(ch-c)) – de 0.4ºC/W pour le premier et 0.67ºC/W pour le second.
De nombreuses applications automobiles sont basées sur des environnements extrêmement difficiles, de sorte que la fiabilité des points de soudure de montage en surface est une considération critique. Le boîtier S-TOGL™ de Toshiba utilise des fils en forme d’aile de mouette qui réduisent les contraintes de montage, améliorant ainsi la fiabilité des soudures.
Qualifiés AEC-Q101 ces Mosfet sont capables de fonctionner à des températures de canal (Tch) allant jusqu’à 175ºC.
Ces produits sont dès à présent disponibles
MOSFET – (1) XPJR6604PB et (2) XPJ1R004PB
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